佳能:通過改進光罩,納米壓印設(shè)備可以生產(chǎn)2nm芯片!
日本光刻機大廠佳能(Canon)在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的納米壓印(Nanoprinted lithography,NIL)設(shè)備FPA-1200NZ2C之后,佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫近日在接受采訪時再度表示,該公司新的納米壓印技術(shù)將為小型半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)先進芯片開辟一條道路,使得生產(chǎn)先進芯片的技術(shù)不再只有少數(shù)大型半導(dǎo)體制造商所獨享。
納米壓印技術(shù)并不利用光學(xué)圖像投影的原理將集成電路的微觀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到硅晶圓上,而是更類似于印刷技術(shù),直接通過壓印形成圖案。在晶圓上只壓印1次,就可以在特定的位置形成復(fù)雜的2D或3D電路圖。
當(dāng)下的5nm制程的先進半導(dǎo)體制造設(shè)備市場,則由ASML的EUV光刻機所壟斷,單臺價格約1.5億美元。
對于接下來更為先進的2nm及以下制程的芯片,ASML也推出了成本更為高昂的High-NA EUV光刻機,單臺價格或?qū)⒊^3億美元,這也使得尖端制程所需的成本越來越高。
相比之下,佳能的目前納米壓印技術(shù)將可以使得芯片制造商不依賴于EUV光刻機就能生產(chǎn)最小5nm制程節(jié)點的邏輯半導(dǎo)體。
佳能半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)部長巖本和德還表示,如果改進光罩,納米壓印甚至可以生產(chǎn)2nm先進制程的芯片。
佳能的納米壓印技術(shù)或許將有機會幫助佳能縮小其與ASML的差距。
更為關(guān)鍵的是,佳能的納米壓印設(shè)備成本和制造成本都遠低于ASML的EUV光刻機。巖本和德表示,客戶的成本因條件而異,據(jù)估算1次壓印工序所需要的成本,有時能降至傳統(tǒng)曝光設(shè)備工序的一半。而且,因為納米壓印設(shè)備的規(guī)模較小,在研發(fā)等用途方面也更容易引進。
佳能CEO御手洗富士夫此前曾表示,該公司的納米壓印設(shè)備的“價格將比ASML的EUV光刻機低一位數(shù)(即僅有10%)”。
在客戶方面,佳能表示目前收到了半導(dǎo)體廠商、大學(xué)、研究所的很多咨詢,以期待作為EUV設(shè)備的替代產(chǎn)品,使納米壓印設(shè)備備受期待。預(yù)計,該設(shè)備將可用于閃存、個人電腦用DRAM,以及邏輯等多種半導(dǎo)體生產(chǎn)用途上。
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